檢索結果：共43筆資料 檢索策略： "陳瑞山".ccommittee (精準) and cadvisor.raw="李奎毅"
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本實驗主要為使用過渡金屬硫化物之二硒化鉬 (MoSe2)應用於生物電化學的檢測當中，以 p-type 矽基板為基底，為了增加 MoSe2 比表面積與感測靈敏度，利用熱化學氣相沉積法將 MoSe2 披…
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本實驗主要探討熱退火溫度對於二氧化鈦(Titanium dioxide, TiO2)與氧化鋅(Zinc oxide, ZnO)的影響, 光電導效率及表面物理機制. 利用定義歸一化增益(Γn), 去除…
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本論文主要研究的晶體材料可分為兩類，其一類是二維有機無機混成鹵化鈣鈦礦結構，使用緩速蒸發恆溫溶液生長技術成長，藉由控制無機層的層數(n)可改變其吸收與放光的波長位置，n越大則吸收與放光波長越往…
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二維材料，像是石墨烯和過渡金屬硫屬化合物已成為現今電子和光電應用中的重要趨勢。石墨烯是目前宇宙中已知最薄和高機械強度的物質。它具有高電子遷移率，零有效質量，高透光率和高電導率等許多優良的特性。石墨烯…
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本論文主要探討利用自組反應式射頻磁控濺鍍系統 (Reactive radio-frequency magnetron sputtering: RFMS) 藉由不同條件成長高比表面積之氧化銥奈米葉片 …
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本論文使用化學氣相傳輸法 (Chemical vapor transport, CVT) 以碘為傳導劑成長W(SxSe1-x)2 (0 ≤ x ≤ 1, Δx = 0.2和x = 0.5) 系列層狀…
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過渡金屬三硫屬化物由於其結構的異向性在電性與光電應用中有很好的表現，這些表現使過渡金屬三硫化物 (TMTCs) 在該領域的其他二維材料中脫穎而出。TiS3是過渡金屬三硫屬化物的其中一員，是n型半導體…
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本論文成功利用化學氣相傳導法合成高品質二硫化鉬 (Molybdenum disulfide, MoS2)晶體，利用機械剝離法取得厚度控制在3-5 μm之MoS2薄片。透過氧電漿處理，經電荷中性點確認…
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本論文利用化學氣相沉積法成長大面積的n型二硫化鉬，透過拉曼光譜儀、光激發螢光與原子力顯微鏡進行分析，結果顯示此二硫化鉬薄膜為單層直接能隙的半導體. 然而氧電漿處理為最直接且能有效的改變二硫化鉬半…